17 сентября

IBM запускает технологию производства для приложений по управлению энергопотреблением

Компания IBM заявила о запуске 180-нм техпроцесса изготовления кристаллов для приложений, в которых сочетаются функции беспроводной связи и управления энергопотреблением.

роизводственный процесс под названием CMOS-7HV сначала будет запущен на кремниевой фабрике IBM в Берлингтоне, шт. Вермонт. Продукция компании будет предназначена для рынков потребительской, промышленной, автомобильной электроники, цифровых мультимедийных устройств и альтернативной энергетики. IBM уже принимает заказы и планирует запустить производство на полную мощность в первой половине 2011 г.

Процесс CMOS-7HV включает КМОП-технологию Triple-Gate Oxide (тройной оксидный слой затвора, TGO) с рабочим напряжением до 50 В и возможностью его повышения до 120 В. Технология TGO является эффективным способом получить чип с большей производительностью за счет использования более тонкого оксидного слоя затвора и уменьшения токов утечки в подпороговой области. При этом в одном кристалле совмещаются функции беспроводной связи и управления энергопотреблением.

По мнению Джеффа Хилберта (Jeff Hilbert), президента и соучредителя Wispry Inc., технология IBM открывает возможность использования более компактных и легких аккумуляторных батарей, а перезарядка смартфонов на основе чипов с этой технологией происходит реже при тех же показателях работы в режиме разговора или просмотра видео.

Майкл Кэдигэн (Michael Cadigan), генеральный директор отделения IBM Microelectronics, считает, что совмещение функций связи и энергопотребления в одном кристалле снижает стоимость изделий и является удачным примером реализации концепции Smart Planet, которую поддерживает IBM.

Источник: EETimes

Комментарии